NEC desenvolve amplificador de potência de alta capacidade e alta velocidade para redes de próxima geração

 NEC desenvolve amplificador de potência de alta capacidade e alta velocidade para redes de próxima geração

• A NEC alcança a nível mundial a maior potência de saída na banda dos 150 GHz através de tecnologia GaAs com capacidade de produção em massa –

A NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) desenvolveu um amplificador de potência que servirá como dispositivo chave no acesso móvel e em equipamentos de comunicação sem fios fronthaul/backhaul, de modo a permitir comunicações de alta velocidade e de alta capacidade para redes 5G Advanced e 6G. Este amplificador de potência utiliza tecnologia GaAs, que pode ser produzida em massa, tendo conseguido atingir a maior potência de saída a nível mundial (*), de 10 mW, na banda dos 150 GHz. Com esta nova solução, a NEC tem como objetivo acelerar o desenvolvimento de equipamentos, bem como a sua implementação no mercado.

Amplificador de potência de banda D agora desenvolvido 

Espera-se que o 5G Advanced e o 6G forneçam comunicações de alta velocidade e alta capacidade a 100 Gbps, o que equivale a 10 vezes mais do que a velocidade atual do 5G. Isto pode ser efetivamente alcançado através da utilização da banda sub-terahertz (100 a 300 GHz), que pode fornecer uma largura de banda ampla de 10 GHz ou mais. Em particular, espera-se uma rápida comercialização da banda D (130 a 174,8 GHz), que é internacionalmente alocada às comunicações fixas sem fios.

A NEC continua a fazer progressos no desenvolvimento tecnológico, aproveitando o seu conhecimento em bandas de alta frequência obtido através do desenvolvimento e operação de equipamento rádio para estações base 5G e também através do PASOLINK, um sistema de comunicação por micro-ondas ultracompacto, que liga as estações base através da comunicação sem fios.

O amplificador de potência agora desenvolvido utiliza um processo de pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) sobre arsenieto de gálio de 0,1-μm (GaAs), comercialmente disponível. Em comparação com o CMOS e o silício germânio (SiGe) utilizado para a banda sub-terahertz, os GaAs pHEMT permitem funcionamento com tensões elevadas e custos iniciais mais baixos para produção em massa.

No que diz respeito ao desenho dos circuitos, este amplificador de potência elimina os fatores que prejudicam o desempenho na banda de alta-frequência e utiliza uma configuração de rede de impedância correspondente adequada a uma potência de saída elevada. Isto resultou na obtenção de excelentes características de alta-frequência entre 110 GHz e 150 GHz, bem como na maior potência de saída a nível mundial alguma vez obtida para um pHEMT de GaAs.

Além da implementação de equipamentos de comunicação rádio acima dos 100 GHz, de alto desempenho e baixo custo, este amplificador de potência irá acelerar a implementação na sociedade do 5G Advanced e 6G.

No futuro, a NEC continuará a desenvolver tecnologias destinadas a alcançar comunicações sem fios de alta velocidade, alta capacidade e eficazes em custo, para 5G Advanced e 6G.

Esta investigação foi apoiada pelo Ministério dos Assuntos Internos e Comunicações do Japão (JPJ000254).

A NEC anunciou mais detalhes sobre esta tecnologia na IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), uma conferência internacional que decorreu em Las Vegas, Nevada, EUA, e que teve início no dia 22 de janeiro de 2023.